芯片分析手段：
　　1 C-SAM（超聲波掃描顯微鏡），無損檢查：（1）。材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)，雜質(zhì)顆粒．夾雜物．沉淀物．（2） 內(nèi)部裂紋。 （3）分層缺陷。（4）空洞，氣泡，空隙等。
　　2 X－Ray（這兩者是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性分析手段）
　　3 SEM掃描電鏡/EDX能量彌散X光儀（材料結(jié)構(gòu)分析/缺陷觀察，元素組成常規(guī)微區(qū)分析，精確測(cè)量元器件尺寸）
　　4 EMMI微光顯微鏡/OBIRCH鐳射光束誘發(fā)阻抗值變化測(cè)試/LC 液晶熱點(diǎn)偵測(cè)（這三者屬于常用漏電流路徑分析手段，尋找發(fā)熱點(diǎn)，LC要借助探針臺(tái)，示波器）
　　5 FIB做一些電路修改。
　　6 Probe Station 探針臺(tái)/Probing Test 探針測(cè)試，ESD/Latch-up靜電放電/閂鎖效用測(cè)試（有些客戶是在芯片流入客戶端之前就進(jìn)行這兩項(xiàng)可靠度測(cè)試，有些客戶是失效發(fā)生后才想到要篩取良片送驗(yàn)）這些已經(jīng)提到了多數(shù)常用手段。失效分析前還有一些必要的樣品處理過程，取die，decap（開封，開帽），研磨，去金球 De-gold bump，去層，染色等，有些也需要相應(yīng)的儀器機(jī)臺(tái)，SEM可以查看die表面，SAM以及X－Ray觀察封裝內(nèi)部情況以及分層失效。
　　除了常用手段之外還有其他一些失效分析手段，原子力顯微鏡AFM ，二次離子質(zhì)譜 SIMS，飛行時(shí)間質(zhì)譜TOF － SIMS ，透射電鏡TEM ，場(chǎng)發(fā)射電鏡，場(chǎng)發(fā)射掃描俄歇探針， X 光電子能譜XPS ，L-I-V測(cè)試系統(tǒng)，能量損失 X 光微區(qū)分析系統(tǒng)等很多手段，不過這些項(xiàng)目不是很常用。
　　分析步驟：
　　1 一般先做外觀檢查，看看有沒有crack，burnt mark 什么的，拍照；
　　2 非破壞性分析：主要是超聲波掃描顯微鏡（C-SAM）--看有沒delamination，xray--看內(nèi)部結(jié)構(gòu)，等等；
　　3 電測(cè)：主要工具，萬用表，示波器，sony tek370a，現(xiàn)在好象是370b了；
　　4 破壞性分析：機(jī)械decap，化學(xué) decap 芯片開封機(jī)。